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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDS6680A 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

3-FDS6680A

#1

数量:919
1+¥4.0375
50+¥3.6939
250+¥3.3503
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDS6680A产品详细规格

规格书 FDS6680A datasheet 规格书
FDS6680A datasheet 规格书
FDS6680A datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 23nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1620pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated IRF8721PBF
ICK SMD A 5 SA

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